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Changzhou Junqi International Trade Co.,Ltd
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Para criar o valor para clientes. Integridade e vantajoso para as duas partes.

Casa ProdutosIC de condutor de motor BLDC

JY16M N MOSFET de potência de modo de aumento de canal para aplicação de comutação de potência

JY16M N MOSFET de potência de modo de aumento de canal para aplicação de comutação de potência

  • JY16M N MOSFET de potência de modo de aumento de canal para aplicação de comutação de potência
  • JY16M N MOSFET de potência de modo de aumento de canal para aplicação de comutação de potência
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  • JY16M N MOSFET de potência de modo de aumento de canal para aplicação de comutação de potência
JY16M N MOSFET de potência de modo de aumento de canal para aplicação de comutação de potência
Detalhes do produto:
Lugar de origem: China
Marca: JUYI
Certificação: ISO9001,CE
Número do modelo: JY16M
Condições de Pagamento e Envio:
Quantidade de ordem mínima: 50pcs (amostra disponível)
Preço: USD0.5-USD1/PC
Detalhes da embalagem: série para a exportação
Tempo de entrega: dependa da quantidade /Negotiable da ordem
Termos de pagamento: T/T, Western Union, Paypal
Habilidade da fonte: 10000pcs pelo mês
Contato
Descrição de produto detalhada
Nome: MOSFET do poder Modelo N.O.: JY16M
Tipo: Canal de N Tensão da Dreno-fonte: 600 V
Tensão da Porta-fonte: ±30V Corrente contínua do dreno: 4A (Ta=25°C)
Corrente pulsada do dreno: 16A Dispersão máxima de potência: 33W
Cor: Negro Shap: Quadrado
Destacar:

Modo de reforço do mosfet JY16M

,

Modo de reforço do mosfet do canal N

,

Comutação de potência Modo de reforço de mosfet

Descrição geral:

 

O JY16M utiliza as mais recentes técnicas de processamento de trincheiras para alcançar a alta densidade de células e reduz a resistência de ligação com alta classificação de avalanche repetitiva.Estas características combinam-se para tornar este projeto um dispositivo extremamente eficiente e confiável para uso em aplicação de comutação de energia e uma ampla variedade de outras aplicações.

 

Características:

 

● 600V/4A, RDS ((ON) =2.6Ω@VGS=10V
● Mudança rápida e recuperação do corpo para trás
● Excelente embalagem para boa dissipação de calor

 

Aplicação:

 

● Luz
● Fornecedores de energia de alta eficiência

 

Descrição do PIN:

JY16M N MOSFET de potência de modo de aumento de canal para aplicação de comutação de potência 0

 

Valores máximos absolutos ((Ta=25°C, salvo indicação em contrário):

 

Símbolo Parâmetro Classificação Unidade
VD.S. Voltagem da fonte de drenagem 600 V
VGS Voltagem da fonte da porta ± 30 V
Eu...D Corrente de drenagem contínua Tc=25°C 4 A
Tc=100°C 2.9
Eu...DM Corrente de drenagem pulsada 16 A
PD Dissipação máxima de energia 33 W
TJTGST Intervalo de temperatura da junção de funcionamento e do armazenamento -55~+150 °C
RΘJC Resistência térmica-juntamento com a caixa 1.56 °C/W
R- Não. Resistência térmica-junção com ambiente 62 °C/W

 

TO220F-3 Esboço do pacote:

JY16M N MOSFET de potência de modo de aumento de canal para aplicação de comutação de potência 1

 

SÍMBOLO MM INCH SÍMBOLO MM INCH
MIN NOME Max. MIN NOME Max. MIN NOME Max. MIN NOME Max.
A 4.40 4.57 4.70 0.173 0.180 0.185 Øp1 1.40 1.50 1.60 0.055 0.059 0.063
A1 1.27 1.30 1.33 0.050 0.051 0.052 e 2.54BSC 0.1BSC
A2 2.35 2.40 2.50 0.093 0.094 0.098 e1 5.08BSC 0.2BSC
b 0.77 - 0.90 0.030 - 0.035 H1 6.40 6.50 6.60 0.252 0.256 0.260
b2 1.23 - 1.36 0.048 - 0.054 L 12.75 - 13.17 0.502 - 0.519
C 0.48 0.50 0.52 0.019 0.020 0.021 L1 - - 3.95 - - 0.156
D 15.40 15.60 15.80 0.606 0.614 0.622 L2 250REF. 0.098REF.
D1 9.00 9.10 9.20 0.354 0.358 0.362 Øp 3.57 3.60 3.63 0.141 0.142 0.143
DEP 0.05 0.10 0.20 0.002 0.004 0.008 Q 2.73 2.80 2.87 0.107 0.110 0.113
E 9.70 9.90 10.10 0.382 0.389 0.398 Θ1
E1 - 8.70 - - 0.343 - Θ2
E2 9.80 10.00 10.20 0.386 0.394 0.401              
 
 
Mais informações por favor entre em contato diretamente conosco através do e-mail: ivanzhu@junqitrading.com

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Pessoa de Contato: Ivanzhu

Telefone: 0086-13961407941

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