JY09M N MOS IC de aumento de canal MOS TO-220 70V 90A MOSFET de potência

Detalhes do produto:

Lugar de origem:	China
Marca:	JEUNKEI
Certificação:	ISO9001,CE
Número do modelo:	JY09M

Condições de Pagamento e Envio:

Quantidade de ordem mínima:	100pcs (uma amostra disponível)
Preço:	Negociável
Detalhes da embalagem:	série para a exportação
Tempo de entrega:	dependa da quantidade /Negotiable da ordem
Termos de pagamento:	T/T, Paypal
Habilidade da fonte:	1000 pcs por dia

Contato

Descrição de produto detalhada

Nome:	MOSFET de potência de modo de reforço de canal N	Modelo N.O.:	JY09M
Tipo:	Canal de N	Tensão da Dreno-fonte:	70V
Corrente contínua do dreno:	90A (Tc=25°C)	Dissipação Máxima de Potência:	162W
Variação da temperatura de funcionamento da junção e do armazenamento:	-55°C~+175°C
Destacar:	MOSFET de potência no modo de reforço JY09M , MOSFET de potência de modo de reforço de canal N , 70V 90A modo de aumento de potência mosfet

Descrição geral:

O JY09M utiliza as mais recentes técnicas de processamento de trincheiras para alcançar a alta densidade de células e reduz a resistência de ligação com baixa carga de portão.Estas características combinam-se para tornar este projeto um dispositivo extremamente eficiente e confiável para uso em aplicação de comutação de energia e uma ampla variedade de outras aplicações.

Características:

● 70V/90A, RDS ((ON) ≤ 6,8mΩ@VGS=10V
● Mudança rápida e recuperação do corpo para trás
● Voltagem e corrente de avalanche totalmente caracterizadas
● Excelente embalagem para boa dissipação de calor

Aplicações:

● Aplicação de comutação de energia
● Circuitos de alta frequência e de comutação rígida
● Fornecimento de energia ininterrupto

Descrição do PIN:

Valores máximos absolutos ((Tc=25°C, salvo indicação em contrário):

Símbolo	Parâmetro		Limite	Unidade
VD.S.	Voltagem da fonte de drenagem		70	V
VGS	Voltagem da fonte da porta		± 20	V
Eu...D	Corrente de drenagem contínua	TC=25°C	90	A
Eu...D	Corrente de drenagem contínua	TC=100°C	65	A
Eu...DM	Corrente de drenagem pulsada		315	A
PD	Dissipação máxima de energia		162	W
TJTGST	Intervalo de temperatura de junção e armazenamento		-55~+175	°C
RΘJC	Resistência térmica-juntamento com a caixa		0.85	°C/W
RΘJC	Resistência térmica-junção com ambiente		62.5	°C/W

JY09M N MOS IC de aumento de canal MOS TO-220 70V 90A MOSFET de potência 1

TO220-3 Esboço do pacote

SÍMBOLO	MM			INCH			SÍMBOLO	MM			INCH
SÍMBOLO	MIN	NOME	Max.	MIN	NOME	Max.	SÍMBOLO	MIN	NOME	Max.	MIN	NOME	Max.
A	4.40	4.57	4.70	0.173	0.180	0.185	Øp1	1.40	1.50	1.60	0.055	0.059	0.063
A1	1.27	1.30	1.33	0.050	0.051	0.052	e	2.54BSC			0.1BSC
A2	2.35	2.40	2.50	0.093	0.094	0.098	e1	5.08BSC			0.2BSC
b	0.77	-	0.90	0.030	-	0.035	H1	6.40	6.50	6.60	0.252	0.256	0.260
b2	1.23	-	1.36	0.048	-	0.054	L	12.75	-	13.17	0.502	-	0.519
C	0.48	0.50	0.52	0.019	0.020	0.021	L1	-	-	3.95	-	-	0.156
D	15.40	15.60	15.80	0.606	0.614	0.622	L2	250REF.			0.098REF.
D1	9.00	9.10	9.20	0.354	0.358	0.362	Øp	3.57	3.60	3.63	0.141	0.142	0.143
DEP	0.05	0.10	0.20	0.002	0.004	0.008	Q	2.73	2.80	2.87	0.107	0.110	0.113
E	9.70	9.90	10.10	0.382	0.389	0.398	Θ1	5°	7°	9°	5°	7°	9°
E1	-	8.70	-	-	0.343	-	Θ2	1°	3°	5°	1°	3°	5°
E2	9.80	10.00	10.20	0.386	0.394	0.401