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Changzhou Junqi International Trade Co.,Ltd
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Para criar o valor para clientes. Integridade e vantajoso para as duas partes.

Casa ProdutosIC de condutor de motor BLDC

40V/80A TO-252 N Modo de aumento do canal Potência MOSFET JY4N8M

40V/80A TO-252 N Modo de aumento do canal Potência MOSFET JY4N8M

  • 40V/80A TO-252 N Modo de aumento do canal Potência MOSFET JY4N8M
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40V/80A TO-252 N Modo de aumento do canal Potência MOSFET JY4N8M
Detalhes do produto:
Lugar de origem: China
Marca: JEUNKEI
Certificação: ISO9001,CE
Número do modelo: JY4N8M
Condições de Pagamento e Envio:
Quantidade de ordem mínima: 50pcs (amostra disponível)
Preço: USD0.5-USD1/PC
Detalhes da embalagem: série para a exportação
Tempo de entrega: dependa da quantidade /Negotiable da ordem
Termos de pagamento: T/T, Western Union, Paypal
Habilidade da fonte: 30000 pcs por mês
Contato
Descrição de produto detalhada
nome: MOSFET do poder Modelo N.O.: JY4N8M
Tipo: Canal de N Tensão da Dreno-fonte: 40 V
Tensão da Porta-fonte: ± 20V Corrente contínua do dreno: 80A (Tc=25°C)
Corrente pulsada do dreno: 350A Dissipação Máxima de Potência: 80W
recuperação do corpo inverso: - Sim, sim.
Destacar:

MOSFET de potência 80A

,

MOSFET de potência de 40 V

Descrição geral:

 

Características:

 

O JY4N8M utiliza as mais recentes técnicas de processamento de trincheiras para alcançar a alta densidade de células e reduz a resistência de ligação com baixa carga de porta.Estas características combinam-se para tornar este projeto um dispositivo extremamente eficiente e confiável para uso em aplicação de comutação de energia e uma ampla variedade de outras aplicações.

 

Aplicações:

 

● 40V/80A, RDS ((ON) ≤6,5mΩ@VGS=10V
● Mudança rápida e recuperação do corpo para trás
● Voltagem e corrente de avalanche totalmente caracterizadas
● Excelente embalagem para boa dissipação de calor

 

Descrição do PIN:

 

40V/80A TO-252 N Modo de aumento do canal Potência MOSFET JY4N8M 0

 

Valores máximos absolutos ((Tc=25°C, salvo indicação em contrário)

 

Símbolo Parâmetro Limite Unidade
VD.S. Voltagem da fonte de drenagem 40 V
VGS Voltagem da fonte da porta ± 20 V
Eu...D Corrente de drenagem contínua Tc=25°C 80 A
Tc=100°C 55
Eu...DM Corrente de drenagem pulsada 350 A
PD Dissipação máxima de energia 80 W
TJTGST Intervalo de temperatura da junção de funcionamento e do armazenamento -55~+175 °C
RΘJC Resistência térmica-juntamento com a caixa 1.88 °C/W
R- Não. Resistência térmica-junção com ambiente 92

 

Esboço do pacote:

 

40V/80A TO-252 N Modo de aumento do canal Potência MOSFET JY4N8M 1

Símbolo Dimensões em milímetros Dimensões em polegadas
Minha. Max. - O quê? Minha. Max. - O quê?
A 2.200 2.400 0.087 0.094
A1 0.000 0.127 0.000 0.005
b 0.660 0.860 0.026 0.034
c 0.460 0.580 0.018 0.023
D 6.500 6.700 0.256 0.264
D1 5.100 5.460 0.201 0.215
D2 0.483TYP. 0.190 TYP.
E 6.000 6.2000 0.236 0.244
e 2.186 2.386 0.086 0.094
L 9.800 10.400 0.386 0.409
L1 2.900 TYP 0.114 TYP.
L2 1.400 1.700 0.055 0.067
L3 1.600 TYP 0.063 TYP.
L4 0.600 1.000 0.024 0.039
ø 1.100 1.300 0.043 0.051
O 0° 8° 0° 8°
h 0.000 0.300 0.000 0.012
v 5.350 TYP. 0.211 TYP.


Para mais informações sobre produtos, por favor entre em contato diretamente conosco via e-mail: ivanzhu@junqitrading.com

 

etiqueta:

Carregador portátil 8A de EV,

Carregador portátil de IEC62196 EV,

Tomada 32A do carregador do Type1 EV

Contacto
Changzhou Junqi International Trade Co.,Ltd

Pessoa de Contato: Ivanzhu

Telefone: 0086-13961407941

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